產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - JFET，封裝：TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）
- 技術參數(shù)：JFET N-CH 35V 0.31W TO92
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2N5639G 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：2N5639G
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：JFET N-CH 35V 0.31W TO92
- 系列：晶體管 - JFET
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類型：N 通道
- 電壓-擊穿(V(BR)GSS)：35V
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 不同Vds(Vgs=0)時電流-漏極(Idss)：25mA @ 20V
- 漏極電流(Id)-最大值：-
- 不同Id時電壓-截止(VGSoff)：-
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：10pF @ 12V（VGS）
- 電阻-RDS(On)：60 Ohms
- 功率-最大值：310mW
- 工作溫度：-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）
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