產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：TO-263（D2Pak）
- 技術參數(shù)：MOSFET P-CH 100V 120A TO263
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SQM120P10_10M1LGE3 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：SQM120P10_10M1LGE3
- 制造商：威世半導體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET P-CH 100V 120A TO263
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：P 通道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：100V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：120A（Tc）
- 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：10.1 毫歐 @ 30A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：190nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：9000pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：375W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：TO-263（D2Pak）
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