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Vishay
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SQM100N10-10-GE3 圖片
  • 制造廠商:Vishay(威世)
  • 類別封裝:單端場效應管,TO-263
  • 技術參數:MOSFET N-CH 100V 100A TO-263
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SQM100N10-10-GE3 技術參數詳情:
  • Vishay威世半導體原廠型號:SQM100N10-10-GE3
  • 制造商:威世半導體(Vishay Semiconductor)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO-263
  • 系列:自動, AEC-Q101, TrenchFET
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):100V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):100A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):10.5 毫歐 @ 30A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):185nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):8050pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:375W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應商器件封裝:TO-263
  • SQM100N10-10-GE3優勢代理貨源,國內領先的Vishay芯片采購服務平臺。
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