- 制造廠商:Vishay(威世)
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:PowerPAK? SO-8 雙
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
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SQJB70EP-T1_GE3 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:SQJB70EP-T1_GE3
- 制造商:威世半導體(Vishay Semiconductor)
- 描述:MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
- 零件狀態(tài):有源
- FET類型:2 N-通道(雙)
- FET功能:標準
- 漏源電壓(Vdss):100V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):11.3A(Tc)
- 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):95 毫歐 @ 4A,10V
- 不同Id時Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):7nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):220pF @ 25V
- 功率-最大值:27W(Tc)
- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:PowerPAK? SO-8 雙
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