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Vishay
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SQJB60EP-T1_GE3 圖片
  • 制造廠商:Vishay(威世)
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:PowerPAK? SO-8 雙
  • 技術參數:MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
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SQJB60EP-T1_GE3 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:SQJB60EP-T1_GE3
  • 制造商:威世半導體(Vishay Semiconductor)
  • 描述:MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:2 N-通道(雙)
  • FET功能:標準
  • 漏源電壓(Vdss):60V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):30A(Tc)
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):12 毫歐 @ 10A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):30nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1600pF @ 25V
  • 功率-最大值:48W
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:PowerPAK? SO-8 雙
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