- 制造廠商:Vishay(威世)
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:PowerPAK? SO-8 雙
- 技術參數:MOSFET 2N-CH 60V 8A
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SQJ960EP-T1_GE3 技術參數詳情:
- 制造商產品型號:SQJ960EP-T1_GE3
- 制造商:威世半導體(Vishay Semiconductor)
- 描述:MOSFET 2N-CH 60V 8A
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
- 產品系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
- 零件狀態:有源
- FET類型:2 N-通道(雙)
- FET功能:邏輯電平門
- 漏源電壓(Vdss):60V
- 25°C時電流-連續漏極(Id):8A
- 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):36 毫歐 @ 5.3A,10V
- 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):20nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):735pF @ 25V
- 功率-最大值:34W
- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:PowerPAK? SO-8 雙
- SQJ960EP-T1_GE3優勢代理貨源,國內領先的Vishay芯片采購服務平臺。