產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類(lèi)別封裝：場(chǎng)效應(yīng)管陣列，PowerPAK
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
- 豐富的Vishay公司產(chǎn)品，Vishay芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足您的目標(biāo)價(jià)格
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SQJ960EP-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào)：SQJ960EP-T1-GE3
- 制造商：威世半導(dǎo)體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
- 系列：TrenchFET
- FET 類(lèi)型：2 個(gè) N 溝道（雙）
- FET 功能：邏輯電平門(mén)
- 漏源極電壓 (Vdss)：60V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：8A
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：36 毫歐 @ 5.3A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：20nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：735pF @ 25V
- 功率 - 最大值：34W
- 安裝類(lèi)型：表面貼裝
- 封裝/外殼：PowerPAK SO-8 雙
- 供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK SO-8 Dual
- SQJ960EP-T1-GE3優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的Vishay芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)Vishay代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)