
- 制造廠商:Vishay(威世)
- 類別封裝:場效應(yīng)管陣列,PowerPAK
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK
- 豐富的Vishay公司產(chǎn)品,Vishay芯片采購平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格

SQJ951EP-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)詳情:
- Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SQJ951EP-T1-GE3
- 制造商:威世半導(dǎo)體(Vishay Semiconductor)
- 描述:MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK
- 系列:自動(dòng), AEC-Q101, TrenchFET
- FET 類型:2 個(gè) P 溝道(雙)
- FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓 (Vdss):30V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):30A
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):17 mOhm @ 7.5A, 10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):50nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1680pF @ 10V
- 功率 - 最大值:56W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK SO-8 雙
- 供應(yīng)商器件封裝:PowerPAK SO-8 Dual
- SQJ951EP-T1-GE3優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的Vishay芯片采購服務(wù)平臺(tái)。

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