產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：PowerPAK? SO-8 雙
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
- 豐富的Vishay公司產(chǎn)品，Vishay芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
SQJ262EP-T1_GE3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：SQJ262EP-T1_GE3
- 制造商：威世半導(dǎo)體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：60V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：15A（Tc），40A（Tc）
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：35.5 毫歐 @ 2A，10V，15.5 毫歐 @ 5A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：10nC @ 10V，23nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：550pF @ 25V，1260pF @ 25V
- 功率-最大值：27W（Tc），48W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：PowerPAK? SO-8 雙
- SQJ262EP-T1_GE3優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的Vishay芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)Vishay代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)