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Vishay
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SQJ200EP-T1_GE3 圖片
  • 制造廠商:Vishay(威世)
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:PowerPAK? SO-8 雙
  • 技術參數(shù):MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
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SQJ200EP-T1_GE3 技術參數(shù)詳情:
  • 制造商產品型號:SQJ200EP-T1_GE3
  • 制造商:威世半導體(Vishay Semiconductor)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:2 N-通道(雙)
  • FET功能:標準
  • 漏源電壓(Vdss):20V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):20A,60A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):8.8 毫歐 @ 16A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):18nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):975pF @ 10V
  • 功率-最大值:27W,48W
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:PowerPAK? SO-8 雙
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