- 制造廠商:Vishay(威世)
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè),器件封裝:6-TSOP
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
- 豐富的Vishay公司產(chǎn)品,Vishay芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
SQ3495EV-T1_GE3 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號(hào):SQ3495EV-T1_GE3
- 制造商:威世半導(dǎo)體(Vishay Semiconductor)
- 描述:MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
- 零件狀態(tài):有源
- FET類型:P 通道
- 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss):30V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):8A(Tc)
- 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,10V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):21 毫歐 @ 5A,4.5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):41nC @ 4.5V
- Vgs(最大值):±12V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):3950pF @ 20V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):5W(Tc)
- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 器件封裝:6-TSOP
- SQ3495EV-T1_GE3優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的Vishay芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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