產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerWDFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
- 豐富的Vishay公司產(chǎn)品，Vishay芯片采購平臺
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SIZ998DT-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：SIZ998DT-T1-GE3
- 制造商：威世半導(dǎo)體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：TrenchFET?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 個(gè) N 通道（雙），肖特基
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：20A (Tc)，60A (Tc)
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：6.7 毫歐 @ 15A，10V，2.8 毫歐 @ 19A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：8.1nC @ 4.5V，19.8nC @ 4.5V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：930pF @ 15V，2620pF @ 15V
- 功率-最大值：20.2W，32.9W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-PowerWDFN
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