
- 制造廠商:Vishay(威世)
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-PowerWDFN
- 技術參數(shù):MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33
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SIZ346DT-T1-GE3 技術參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:SIZ346DT-T1-GE3
- 制造商:威世半導體(Vishay Semiconductor)
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列:PowerPAIR?, TrenchFET?
- 零件狀態(tài):有源
- FET類型:2 N-通道(雙)
- FET功能:標準
- 漏源電壓(Vdss):30V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):17A (Tc),30A (Tc)
- 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):28.5 毫歐 @ 10A,10V,11.5 毫歐 @ 14.4A,10V
- 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA,2.4V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):5nC @ 4.5V,9nC @ 4.5V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):325pF @ 15V,650pF @ 15V
- 功率-最大值:16W,16.7W
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:8-PowerWDFN
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