產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：PowerPAK? 1212-8SH
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
- 豐富的Vishay公司產(chǎn)品，Vishay芯片采購平臺
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
SISS76LDN-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：SISS76LDN-T1-GE3
- 制造商：威世半導(dǎo)體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：TrenchFET? Gen IV
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：70V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：19.6A（Ta），67.4A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：3.3V，4.5V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：6.25 毫歐 @ 10A，4.5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1.6V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：33.5nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±12V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：2780pF @ 35V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：4.8W（Ta），57W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：PowerPAK? 1212-8SH
- SISS76LDN-T1-GE3優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的Vishay芯片采購服務(wù)平臺。
芯片采購網(wǎng)專注整合國內(nèi)外授權(quán)Vishay代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購IC芯片，是國內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺