
- 制造廠商:Vishay(威世)
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:PowerPAK? 1212-8 雙
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
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SIS990DN-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:SIS990DN-T1-GE3
- 制造商:威世半導(dǎo)體(Vishay Semiconductor)
- 描述:MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列:TrenchFET?
- 零件狀態(tài):有源
- FET類型:2 N-通道(雙)
- FET功能:標準
- 漏源電壓(Vdss):100V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):12.1A
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):85 毫歐 @ 8A,10V
- 不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):8nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):250pF @ 50V
- 功率-最大值:25W
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:PowerPAK? 1212-8 雙
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