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Vishay
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SIHB12N60ET1-GE3 圖片
  • 制造廠商:Vishay(威世)
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:TO-263(D2Pak)
  • 技術參數:MOSFET N-CH 600V 12A TO263
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SIHB12N60ET1-GE3 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:SIHB12N60ET1-GE3
  • 制造商:威世半導體(Vishay Semiconductor)
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO263
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:E
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):600V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):12A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):380 毫歐 @ 6A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):58nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):937pF @ 100V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):147W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:TO-263(D2Pak)
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