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Vishay
熱門產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
SIDR626DP-T1-GE3 圖片
  • 制造廠商:Vishay(威世)
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè),器件封裝:PowerPAK? SO-8DC
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK
  • 豐富的Vishay公司產(chǎn)品,Vishay芯片采購平臺(tái)
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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SIDR626DP-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):SIDR626DP-T1-GE3
  • 制造商:威世半導(dǎo)體(Vishay Semiconductor)
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列:TrenchFET? Gen IV
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):60V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):42.8A(Ta),100A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):1.7 毫歐 @ 20A,10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):102nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):5130pF @ 30V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):6.25W(Ta),125W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:PowerPAK? SO-8DC
  • SIDR626DP-T1-GE3優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的Vishay芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
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