- 制造廠商:Vishay(威世)
- 類別封裝:電源管理IC - 柵極驅(qū)動器,產(chǎn)品封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
- 技術(shù)參數(shù):IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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SI9912DY-E3 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:SI9912DY-E3
- 制造商:威世半導體(Vishay Semiconductor)
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
- 產(chǎn)品系列:電源管理IC - 柵極驅(qū)動器
- 包裝:卷帶(TR)
- 系列:-
- 零件狀態(tài):停產(chǎn)
- 驅(qū)動配置:半橋
- 通道類型:同步
- 驅(qū)動器數(shù):2
- 柵極類型:N 溝道 MOSFET
- 電壓-供電:4.5V ~ 5.5V
- 邏輯電壓?-VIL,VIH:-
- 電流-峰值輸出(灌入,拉出):1A,1A
- 輸入類型:非反相
- 高壓側(cè)電壓-最大值(自舉):30V
- 上升/下降時間(典型值):30ns,20ns
- 工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 產(chǎn)品封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
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