- 制造廠商:Vishay(威世)
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:6-MICRO FOOT?CSP
- 技術參數:MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
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SI8902EDB-T2-E1 技術參數詳情:
- 制造商產品型號:SI8902EDB-T2-E1
- 制造商:威世半導體(Vishay Semiconductor)
- 描述:MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
- 產品系列:TrenchFET?
- 零件狀態:有源
- FET類型:2 N 溝道(雙)共漏
- FET功能:邏輯電平門
- 漏源電壓(Vdss):20V
- 25°C時電流-連續漏極(Id):3.9A
- 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):-
- 不同Id時Vgs(th)(最大值):1V @ 980μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):-
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):-
- 功率-最大值:1W
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:6-MICRO FOOT?CSP
- SI8902EDB-T2-E1優勢代理貨源,國內領先的Vishay芯片采購服務平臺。