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Vishay
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SI5509DC-T1-GE3 圖片
  • 制造廠商:Vishay(威世)
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-SMD,扁平引線
  • 技術參數:MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
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SI5509DC-T1-GE3 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:SI5509DC-T1-GE3
  • 制造商:威世半導體(Vishay Semiconductor)
  • 描述:MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:TrenchFET?
  • 零件狀態:停產
  • FET類型:N 和 P 溝道
  • FET功能:邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss):20V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):6.1A,4.8A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):52 毫歐 @ 5A,4.5V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):6.6nC @ 5V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):455pF @ 10V
  • 功率-最大值:4.5W
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:8-SMD,扁平引線
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