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- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 技術參數：MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
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SI4808DY-T1-E3 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：SI4808DY-T1-E3
- 制造商：威世半導體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產品系列：LITTLE FOOT?
- 零件狀態：有源
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：5.7A
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：22 毫歐 @ 7.5A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250μA（最小）
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-
- 功率-最大值：1.1W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
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