產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：8-SO
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
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SI4477DY-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：SI4477DY-T1-GE3
- 制造商：威世半導(dǎo)體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：TrenchFET?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：P 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：20V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：26.6A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：6.2 毫歐 @ 18A，4.5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：190nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±12V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：4600pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：3W（Ta），6.6W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：8-SO
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