- 制造廠商:Vishay(威世)
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:6-TSOP
- 技術參數(shù):MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP
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SI3457BDV-T1-GE3 技術參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:SI3457BDV-T1-GE3
- 制造商:威世半導體(Vishay Semiconductor)
- 描述:MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列:TrenchFET?
- 零件狀態(tài):停產(chǎn)
- FET類型:P 通道
- 技術:MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss):30V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):3.7A(Ta)
- 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):54 毫歐 @ 5A,10V
- 不同Id時Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):19nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):-
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):1.14W(Ta)
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 器件封裝:6-TSOP
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