- 制造廠商:Vishay(威世)
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
- 豐富的Vishay公司產(chǎn)品,Vishay芯片采購平臺
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SI2301CDS-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:SI2301CDS-T1-GE3
- 制造商:威世半導(dǎo)體(Vishay Semiconductor)
- 描述:MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列:TrenchFET?
- 零件狀態(tài):有源
- FET類型:P 通道
- 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss):20V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):3.1A(Tc)
- 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):112 毫歐 @ 2.8A,4.5V
- 不同Id時Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):10nC @ 4.5V
- Vgs(最大值):±8V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):405pF @ 10V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):860mW(Ta),1.6W(Tc)
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 器件封裝:SOT-23-3(TO-236)
- SI2301CDS-T1-GE3優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的Vishay芯片采購服務(wù)平臺。
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