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Transphorm
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TPH3206LDG-TR 圖片
  • 制造廠商:Transphorm
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:3-PQFN(8x8)
  • 技術參數:GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN
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TPH3206LDG-TR 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:TPH3206LDG-TR
  • 制造商:Transphorm
  • 描述:GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:停產
  • FET類型:N 通道
  • 技術:GaNFET(氮化鎵)
  • 漏源電壓(Vdss):600V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):17A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):8V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):180 毫歐 @ 11A,8V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.6V @ 500μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):9.3nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):±18V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):760pF @ 480V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):96W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:3-PQFN(8x8)
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