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- 制造廠商：東芝半導體
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：8-DSOP Advance
- 技術參數：MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP
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XPW6R30ANB,L1XHQ 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：XPW6R30ANB,L1XHQ
- 制造商：東芝半導體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產品系列：U-MOSVIII-H
- 零件狀態：有源
- FET類型：N 通道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：100V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：45A（Ta）
- 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：6.3 毫歐 @ 22.5A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 500μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：52nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3240pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：960mW（Ta），132W（Tc）
- 工作溫度：175°C
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：8-DSOP Advance
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