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Toshiba
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XPW4R10ANB,L1XHQ 圖片
  • 制造廠商:東芝半導體
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:8-DSOP Advance
  • 技術參數:MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
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XPW4R10ANB,L1XHQ 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:XPW4R10ANB,L1XHQ
  • 制造商:東芝半導體(Toshiba Semiconductor)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:Automotive, AEC-Q101
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:GaNFET(氮化鎵)
  • 漏源電壓(Vdss):15V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):3.4A(Ta)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):5V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):26 毫歐 @ 1.5A,5V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):1.1nC @ 5V
  • Vgs(最大值):+6V,-4V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):118pF @ 7.5V
  • FET功能:標準
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:8-DSOP Advance
  • XPW4R10ANB,L1XHQ優勢代理貨源,國內領先的東芝半導體芯片采購服務平臺。
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