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Toshiba
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TPCF8B01(TE85L,F,M 圖片
  • 制造廠商:東芝半導體
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:VS-8(2.9x1.5)
  • 技術參數:MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
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TPCF8B01(TE85L,F,M 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:TPCF8B01(TE85L,F,M
  • 制造商:東芝半導體(Toshiba Semiconductor)
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:U-MOSIII
  • 零件狀態:停產
  • FET類型:P 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):20V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):2.7A(Ta)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):110 毫歐 @ 1.4A,4.5V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):1.2V @ 200μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):6nC @ 5V
  • Vgs(最大值):±8V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):470pF @ 10V
  • FET功能:肖特基二極管(隔離式)
  • 功率耗散(最大值):330mW(Ta)
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:VS-8(2.9x1.5)
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