- 制造廠商:東芝半導(dǎo)體
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè),器件封裝:VS-8(2.9x1.5)
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
- 豐富的東芝半導(dǎo)體公司產(chǎn)品,東芝半導(dǎo)體芯片采購平臺(tái)
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TPCF8104(TE85L,F,M 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號(hào):TPCF8104(TE85L,F,M
- 制造商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba Semiconductor)
- 描述:MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列:*
- 零件狀態(tài):最後搶購
- FET類型:P 通道
- 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss):30V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):6A(Ta)
- 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):-
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):28 毫歐 @ 3A,10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):34nC @ 10V
- Vgs(最大值):-
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):1760pF @ 10V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):700mW(Ta)
- 工作溫度:150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 器件封裝:VS-8(2.9x1.5)
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