- 制造廠商:東芝半導(dǎo)體
- 類別封裝:單端場效應(yīng)管,8-TSON高級
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON-ADV
- 豐富的東芝半導(dǎo)體公司產(chǎn)品,東芝半導(dǎo)體芯片采購平臺
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TPCC8103(TE12L,Q) 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 東芝半導(dǎo)體公司完整型號:TPCC8103(TE12L,Q)
- 制造商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba Semiconductor)
- 描述:MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON-ADV
- 系列:-
- FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET 功能:邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss):30V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):18A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):12 毫歐 @ 9A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):38nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1600pF @ 10V
- 功率 - 最大值:27W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-PowerVDFN
- 供應(yīng)商器件封裝:8-TSON高級
- TPCC8103(TE12L,Q)優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的東芝半導(dǎo)體芯片采購服務(wù)平臺。
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