- 制造廠商:東芝半導體
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-SOIC(0.173,4.40mm 寬)
- 技術參數(shù):MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
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TPC8212-H(TE12LQ,M 技術參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:TPC8212-H(TE12LQ,M
- 制造商:東芝半導體(Toshiba Semiconductor)
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):停產(chǎn)
- FET類型:2 N-通道(雙)
- FET功能:邏輯電平門
- 漏源電壓(Vdss):30V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):6A
- 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):21 毫歐 @ 3A,10V
- 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):16nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):840pF @ 10V
- 功率-最大值:450mW
- 工作溫度:150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:8-SOIC(0.173,4.40mm 寬)
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