
- 制造廠商:東芝半導體
- 類別封裝:單端場效應管,8-SOP
- 技術參數(shù):MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
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TPC8012-H(TE12L,Q) 技術參數(shù)詳情:
- 東芝半導體公司完整型號:TPC8012-H(TE12L,Q)
- 制造商:東芝半導體(Toshiba Semiconductor)
- 描述:MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
- 系列:-
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:標準
- 漏源極電壓 (Vdss):200V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):1.8A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):400 毫歐 @ 900mA,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):11nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):440pF @ 10V
- 功率 - 最大值:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)
- 供應商器件封裝:8-SOP(5.5x6.0)
- TPC8012-H(TE12L,Q)優(yōu)勢代理貨源,國內領先的東芝半導體芯片采購服務平臺。
