產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠(chǎng)商：東芝半導(dǎo)體
- 類(lèi)別封裝：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)，封裝：SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
- 技術(shù)參數(shù)：X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- 豐富的東芝半導(dǎo)體公司產(chǎn)品，東芝半導(dǎo)體芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足您的目標(biāo)價(jià)格
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TPC6503(TE85L,F,M) 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：TPC6503(TE85L,F,M)
- 制造商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- 系列：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：U-MOSVII
- 零件狀態(tài)：有源
- 晶體管類(lèi)型：NPN
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：1.5A
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：30V
- 不同?Ib、Ic時(shí)?Vce飽和壓降（最大值）：120mV @ 10mA，500mA
- 電流-集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時(shí)DC電流增益(hFE)（最小值）：400 @ 150mA，2V
- 功率-最大值：1.6W
- 頻率-躍遷：-
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：表面貼裝型
- 封裝：SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
- TPC6503(TE85L,F,M)優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的東芝半導(dǎo)體芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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