產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：東芝半導(dǎo)體
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：TO-3P（N）
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
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TK39J60W,S1VQ 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：TK39J60W,S1VQ
- 制造商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：DTMOSIV
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：600V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：38.8A（Ta）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：65 毫歐 @ 19.4A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 1.9mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：110nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：4100pF @ 300V
- FET功能：超級結(jié)
- 功率耗散（最大值）：270W（Tc）
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 器件封裝：TO-3P（N）
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