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Toshiba
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TJ30S06M3L(T6L1,NQ 圖片
  • 制造廠商:東芝半導體
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:DPAK+
  • 技術參數:MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
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TJ30S06M3L(T6L1,NQ 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:TJ30S06M3L(T6L1,NQ
  • 制造商:東芝半導體(Toshiba Semiconductor)
  • 描述:MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:U-MOSVI
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:P 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):60V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):30A(Ta)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):21.8 毫歐 @ 15A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):80nC @ 10V
  • Vgs(最大值):+10V,-20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):3950pF @ 10V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):68W(Tc)
  • 工作溫度:175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:DPAK+
  • TJ30S06M3L(T6L1,NQ優勢代理貨源,國內領先的東芝半導體芯片采購服務平臺。
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