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- 制造廠商：東芝半導體
- 類別封裝：存儲器，67-VFBGA
- 技術參數：EEPROM SLC 4GB NAND 24NM 67FBGA
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TH58BYG2S3HBAI6 技術參數詳情：
- 東芝半導體公司完整型號: TH58BYG2S3HBAI6
- 制造商：東芝半導體（Toshiba Semiconductor）
- 功能總體簡述: EEPROM SLC 4GB NAND 24NM 67FBGA
- 系列: Benand
- 格式 - 存儲器: EEPROMs - 串行
- 存儲器類型: EEPROM - NAND
- 存儲容量: 4G（512M x 8）
- 速度: 25ns
- 接口: 并聯
- 電壓 - 電源: 1.7 V ~ 1.95 V
- 工作溫度: -40°C ~ 85°C
- 封裝/外殼: 67-VFBGA
- 供應商器件封裝: 67-VFBGA（6.5x8）
- TH58BYG2S3HBAI6優勢代理貨源，國內領先的東芝半導體芯片采購服務平臺。
