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- 制造廠商：東芝半導體
- 類別封裝：單端場效應管，VESM
- 技術參數：MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
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SSM3J35MFV(TL3,T) 技術參數詳情：
- 東芝半導體公司完整型號：SSM3J35MFV(TL3,T)
- 制造商：東芝半導體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平柵極，1.2V 驅動
- 漏源極電壓 (Vdss)：20V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：100mA（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：8 歐姆 @ 50mA，4V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：12.2pF @ 3V
- 功率 - 最大值：150mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SOT-723
- 供應商器件封裝：VESM
- SSM3J35MFV(TL3,T)優(yōu)勢代理貨源，國內領先的東芝半導體芯片采購服務平臺。
