- 制造廠商:東芝半導(dǎo)體
- 類別封裝:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預(yù)偏置,封裝:SOT-563,SOT-666
- 技術(shù)參數(shù):TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
- 豐富的東芝半導(dǎo)體公司產(chǎn)品,東芝半導(dǎo)體芯片采購平臺(tái)
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RN1965FE(TE85L,F) 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號(hào):RN1965FE(TE85L,F)
- 制造商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba Semiconductor)
- 描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
- 系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預(yù)偏置
- 零件狀態(tài):停產(chǎn)
- 晶體管類型:2 個(gè) PNP 預(yù)偏壓式(雙)
- 電流-集電極(Ic)(最大值):100mA
- 電壓-集射極擊穿(最大值):50V
- 電阻器-基極(R1):2.2 千歐
- 電阻器-發(fā)射極(R2):47 千歐
- 不同?Ic、Vce?時(shí)DC電流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V
- 不同?Ib、Ic時(shí)?Vce飽和壓降(最大值):300mV @ 250μA,5mA
- 電流-集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
- 頻率-躍遷:250MHz
- 功率-最大值:100mW
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:SOT-563,SOT-666
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