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芯片采購,IC采購,芯片采購平臺(tái)
Toshiba
熱門產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
RN1903FE(TE85L,F) 圖片
  • 制造廠商:東芝半導(dǎo)體
  • 類別封裝:陣列﹐預(yù)偏壓式晶體管,ES6
  • 技術(shù)參數(shù):TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • 豐富的東芝半導(dǎo)體公司產(chǎn)品,東芝半導(dǎo)體芯片采購平臺(tái)
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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RN1903FE(TE85L,F) 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):RN1903FE(TE85L,F)
  • 制造商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba Semiconductor)
  • 描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • 系列:-
  • 晶體管類型:2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式(雙)
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V
  • 電阻器 - 基底 (R1) (Ω):22k
  • 電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω):22k
  • 不同 Ic、Vce 時(shí)的 DC 電流增益 (hFE)(最小值):70 @ 10mA,5V
  • 不同 Ib、Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值):300mV @ 250μA,5mA
  • 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 頻率 - 躍遷:250MHz
  • 功率 - 最大值:100mW
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
  • 供應(yīng)商器件封裝:ES6
  • RN1903FE(TE85L,F)優(yōu)勢(shì)代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的東芝半導(dǎo)體芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
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