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Toshiba
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RN1709JE(TE85L,F) 圖片
  • 制造廠商:東芝半導體
  • 類別封裝:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預偏置,封裝:SOT-553
  • 技術參數:NPN X 2 BRT, Q1BSR=47K?, Q1BER=2
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RN1709JE(TE85L,F) 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:RN1709JE(TE85L,F)
  • 制造商:東芝半導體(Toshiba Semiconductor)
  • 描述:NPN X 2 BRT, Q1BSR=47K?, Q1BER=2
  • 系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預偏置
  • 零件狀態:有源
  • 晶體管類型:2 NPN - 預偏壓(雙)(耦合發射器)
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):100mA
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):50V
  • 電阻器-基極(R1):47 千歐
  • 電阻器-發射極(R2):22 千歐
  • 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):70 @ 10mA,5V
  • 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):300mV @ 250μA,5mA
  • 電流-集電極截止(最大值):500nA
  • 頻率-躍遷:250MHz
  • 功率-最大值:100mW
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:SOT-553
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