- 制造廠商:東芝半導體
- 類別封裝:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列,封裝:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 技術參數:NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
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HN1C03FU-B,LF 技術參數詳情:
- 制造商產品型號:HN1C03FU-B,LF
- 制造商:東芝半導體(Toshiba Semiconductor)
- 描述:NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
- 系列:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列
- 零件狀態:有源
- 晶體管類型:2 NPN(雙)
- 電流-集電極(Ic)(最大值):300mA
- 電壓-集射極擊穿(最大值):20V
- 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):100mV @ 3mA,30A
- 電流-集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):350 @ 4mA,2V
- 功率-最大值:200mW
- 頻率-躍遷:30MHz
- 工作溫度:150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- HN1C03FU-B,LF優勢代理貨源,國內領先的東芝半導體芯片采購服務平臺。