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Toshiba
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HN1C03FU-B,LF 圖片
  • 制造廠商:東芝半導體
  • 類別封裝:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列,封裝:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 技術參數:NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
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HN1C03FU-B,LF 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:HN1C03FU-B,LF
  • 制造商:東芝半導體(Toshiba Semiconductor)
  • 描述:NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
  • 系列:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列
  • 零件狀態:有源
  • 晶體管類型:2 NPN(雙)
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):300mA
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):20V
  • 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):100mV @ 3mA,30A
  • 電流-集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):350 @ 4mA,2V
  • 功率-最大值:200mW
  • 頻率-躍遷:30MHz
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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