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Toshiba
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GT8G133(TE12L,Q) 圖片
  • 制造廠商:東芝半導體
  • 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:8-TSSOP(0.173,4.40mm 寬)
  • 技術參數:IGBT 400V 600MW 8TSSOP
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GT8G133(TE12L,Q) 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:GT8G133(TE12L,Q)
  • 制造商:東芝半導體(Toshiba Semiconductor)
  • 描述:IGBT 400V 600MW 8TSSOP
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:停產
  • IGBT類型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):400V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):-
  • 電流-集電極脈沖(Icm):150A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.9V @ 4V,150A
  • 功率-最大值:600mW
  • 開關能量:-
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:-
  • 25°C時Td(開/關)值:1.7μs/2μs
  • 測試條件:-
  • 反向恢復時間(trr):-
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:8-TSSOP(0.173,4.40mm 寬)
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