產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：東芝半導(dǎo)體
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-3PL
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
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GT60N321(Q) 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：GT60N321(Q)
- 制造商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1000V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：60A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：120A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，60A
- 功率-最大值：170W
- 開關(guān)能量：-
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：-
- 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：330ns/700ns
- 測(cè)試條件：-
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：2.5μs
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-3PL
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