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- 制造廠商：東芝半導體
- 類別封裝：單路IGBT，TO-3P
- 技術參數：IGBT 900V 60A 170W TO3P LH
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GT60M303(Q) 技術參數詳情：
- 東芝半導體公司完整型號：GT60M303(Q)
- 制造商：東芝半導體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：IGBT 900V 60A 170W TO3P LH
- 系列：-
- IGBT 類型：-
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：900V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：60A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：120A
- 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.7V @ 15V，60A
- 功率 - 最大值：170W
- Switching Energy：-
- 輸入類型：標準
- Gate Charge：-
- 25°C 時 Td（開/關）值：460ns/600ns
- Test Condition：-
- 反向恢復時間 (trr)：2.5μs
- 封裝/外殼：TO-3PL
- 安裝類型：通孔
- 供應商器件封裝：TO-3P（LH）
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