
- 制造廠商:東芝半導(dǎo)體
- 類別封裝:單路IGBT,TO-3P
- 技術(shù)參數(shù):IGBT 600V 30A 170W TO3PN
- 豐富的東芝半導(dǎo)體公司產(chǎn)品,東芝半導(dǎo)體芯片采購(gòu)平臺(tái)
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GT30J324(Q) 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):GT30J324(Q)
- 制造商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba Semiconductor)
- 描述:IGBT 600V 30A 170W TO3PN
- 系列:-
- IGBT 類型:-
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):30A
- Current - Collector Pulsed (Icm):60A
- 不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on):2.45V @ 15V,30A
- 功率 - 最大值:170W
- Switching Energy:1mJ (開), 800μJ (關(guān))
- 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
- Gate Charge:-
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:90ns/300ns
- Test Condition:300V, 30A, 24 歐姆, 15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):60ns
- 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
- 安裝類型:通孔
- 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P(N)
- GT30J324(Q)優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的東芝半導(dǎo)體芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。

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