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Toshiba
熱門產(chǎn)品型號
產(chǎn)品參考圖片
GT10J312(Q) 圖片
  • 制造廠商:東芝半導體
  • 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
  • 技術參數(shù):IGBT 600V 10A 60W TO220SM
  • 豐富的東芝半導體公司產(chǎn)品,東芝半導體芯片采購平臺
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GT10J312(Q) 技術參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號:GT10J312(Q)
  • 制造商:東芝半導體(Toshiba Semiconductor)
  • 描述:IGBT 600V 10A 60W TO220SM
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • IGBT類型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):10A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):20A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,10A
  • 功率-最大值:60W
  • 開關能量:-
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:-
  • 25°C時Td(開/關)值:400ns/400ns
  • 測試條件:300V,10A,100 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):200ns
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
  • GT10J312(Q)優(yōu)勢代理貨源,國內領先的東芝半導體芯片采購服務平臺。
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