- 制造廠商:東芝半導體
- 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 技術參數(shù):IGBT 600V 10A 60W TO220SM
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GT10J312(Q) 技術參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:GT10J312(Q)
- 制造商:東芝半導體(Toshiba Semiconductor)
- 描述:IGBT 600V 10A 60W TO220SM
- 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):停產(chǎn)
- IGBT類型:-
- 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
- 電流-集電極(Ic)(最大值):10A
- 電流-集電極脈沖(Icm):20A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,10A
- 功率-最大值:60W
- 開關能量:-
- 輸入類型:標準
- 柵極電荷:-
- 25°C時Td(開/關)值:400ns/400ns
- 測試條件:300V,10A,100 歐姆,15V
- 反向恢復時間(trr):200ns
- 工作溫度:150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
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