產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：東芝半導(dǎo)體
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：8-SOIC（0.173，4.40mm 寬）
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 400V 1W 8-SOIC
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GT10G131(TE12L,Q) 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：GT10G131(TE12L,Q)
- 制造商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：IGBT 400V 1W 8-SOIC
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：400V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：-
- 電流-集電極脈沖(Icm)：200A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 4V，200A
- 功率-最大值：1W
- 開關(guān)能量：-
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：-
- 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：3.1μs/2μs
- 測試條件：-
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-SOIC（0.173，4.40mm 寬）
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