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- 制造廠商：東芝半導體
- 類別封裝：單端場效應管，DP
- 技術參數(shù)：MOSFET N-CH 500V 5A DP
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2SK3863(TE16L1,Q) 技術參數(shù)詳情：
- 東芝半導體公司完整型號：2SK3863(TE16L1,Q)
- 制造商：東芝半導體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 500V 5A DP
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：500V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：5A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：1.5 歐姆 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：16nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：550pF @ 25V
- 功率 - 最大值：40W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商器件封裝：DP
- 2SK3863(TE16L1,Q)優(yōu)勢代理貨源，國內領先的東芝半導體芯片采購服務平臺。
