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- 制造廠商：東芝半導體
- 類別封裝：單端場效應管，TO-220SIS
- 技術參數：MOSFET N-CH 900V 4A TO220SIS
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2SK3798(Q,M) 技術參數詳情：
- 東芝半導體公司完整型號：2SK3798(Q,M)
- 制造商：東芝半導體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 900V 4A TO220SIS
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：900V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：4A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.5 歐姆 @ 2A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：26nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：800pF @ 25V
- 功率 - 最大值：40W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3 整包
- 供應商器件封裝：TO-220SIS
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