- 制造廠商:東芝半導(dǎo)體
- 類別封裝:單端場效應(yīng)管,TO-220SIS
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 600V 2A TO-220SIS
- 豐富的東芝半導(dǎo)體公司產(chǎn)品,東芝半導(dǎo)體芯片采購平臺
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2SK3767(Q,M) 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 東芝半導(dǎo)體公司完整型號:2SK3767(Q,M)
- 制造商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba Semiconductor)
- 描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO-220SIS
- 系列:-
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓 (Vdss):600V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):2A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):4.5 歐姆 @ 1A,10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):9nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):320pF @ 10V
- 功率 - 最大值:25W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商器件封裝:TO-220SIS
- 2SK3767(Q,M)優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的東芝半導(dǎo)體芯片采購服務(wù)平臺。
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